针对化学微蚀刻法和微细电镀法制备微流控芯片金属模具进行了工艺对比研究。采用激光共聚焦显微镜分别检测表征由这两种加工工艺制备所得的模具微结构特征，对其侧壁陡度、尺寸均匀性、粗糙度进行对比分析。结果表明，化学微蚀刻法制备的模具微结构的侧壁呈不规则弧形、尺寸均匀性差，中山蚀刻，表面粗糙度较大(Ra=3.58μm)。而微细电镀法制备的模具微结构的侧壁则呈规则的梯形、尺寸均匀性好，表面粗糙度较小(Ra=0.65μm)。微细电镀法制备的微流控芯片金属模具综合效果比化学微蚀刻好。
由于化学蒸气沉积法(CVD)的运用，人造金刚石薄膜的生产日益发展。这种金刚石薄膜具有良好的导热性、光学透明性、硬度、惰性和半导体特性，蚀刻，在光学和生物医学领域中有重要作用。但由于其极高的硬度和体积较小，清远蚀刻，要把金刚石薄膜加工为理想的形状较为困难，过去的种种加工方法，或者易使晶体本身产生凹痕，或者加工速度很慢，深圳蚀刻，或者生产成本太高，而使其应用受到限制。近来美国报导了一种新方法，能快速、高质量和经济地加工和削磨金刚石，引起人们广泛重视。该法是用熔融的稀土金属铈或镧，去蚀刻金刚石薄膜表面，
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