陶瓷电容的选用（一）
对于高频谐振电路，除要求电容器损耗小外，还要求容量有良好的温度稳定性，通常选用1类瓷介电容，其中CH特性亦称为零温度系数产品，其容量基本不随温度而变化，但其容量仅在几PF~几百PF之间。
对于做低频耦合、旁路、滤波的电容器，往住考滤小型化及低本成是主要的，而对损耗和容量的温度稳定性要求不高，一般可选用2类瓷介电容器，其容量选择范围较宽。
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陶瓷电容器的发展历史
1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容器。30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容器。
1940年前后人们发现了现在的陶瓷电容器的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将陶瓷电容器使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。而陶瓷叠片电容器于1960年左右作为商品开始开发。到了1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，成为电子设备中不可缺少的零部件。现在的陶瓷介质电容器的全部数量约占电容器市场的70%左右。
