高频瓷介电容器
高频陶瓷电容器又叫高频瓷介电容器，瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小,（tanδ≤0.15%，f=1MHz），极限使用频率可达1000MHz以上。同时该类瓷介电容器温度特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。其国标型号为CC1（低压）和CC81（高压）
陶瓷电容器外形说明
陶瓷电容器虽有上述很多优点，但因陶瓷材料本身机械强度低、易破碎这一缺陷，使其圆片的几何尺寸受到限制，这也是不同温度特性有不同容量范围的主要原因。通常标准上对低压圆片电容的允许直径D≤12mm，高压电容的圆片允许直径D≤16mm。如超过这一尺寸，生产加工难度和废品率就会有很大增加，并且在瓷片本体上产生的微小裂纹都将对电容器的可靠性产生很大隐患。因不同厂家在材料研制和工艺制造方面的水平不同，其外形尺寸标准也有差异，故其容量标称范围也有部分区别。因此上述容量划分表只是一个行业平均水平汇总的结果，今后随着材料工艺的进一步提高，陶瓷电容的尺寸会进一步缩小，其容量范围就会进一步扩大。
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