国产半导体器件的命名方法——兴海电子供应，厂家直销
二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
第·一部分：用数字表示器件电极的数目。
第·二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第·三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。
第·四部分：用数字表示器件序号。
第·五部分：用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 ． 1 所示。
表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法
第·一部分 第·二部分 第·三部分 第·四部分 第·五部分
符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义
2二极管AN 型，锗材料P普通X低频小功率
(fa<3MHz ， Pc<1W)反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如
A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压低， B 稍高
BP 型，锗材料W稳压管
CN 型，硅材料Z整流管G高频小功率
(fa>3MHz ， Pc<1W)
DP 型，硅材料L整流堆
3三极管APNP 型，锗材料N阻尼管D低频大功率
(fa<3MHz ， Pc>1W)
BNPN 型，锗材料K开关管
CPNP 型，硅材料F发光管A高频大功率
(fa>3MHz ， Pc>1W)
DNPN 型，硅材料S隧道管
E化合物材料U光电管T可控硅
CS场效应管
BT特殊器件
05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,
05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW,
05Z13X硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW,
05Z15Y硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,
05Z18Y硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,
1N4001硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)
1N4002硅整流二极管 100V, 1A,
1N4003硅整流二极管 200V, 1A,
1N4004硅整流二极管 400V, 1A,
1N4005硅整流二极管 600V, 1A,
1N4006硅整流二极管 800V, 1A,
1N4007硅整流二极管 1000V, 1A,
1N4148二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V,
1N5391硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A) 1N5392硅整流二极管 100V,1.5A,
1N5393硅整流二极管 200V,1.5A,
1N5394硅整流二极管 300V,1.5A,
1N5395硅整流二极管 400V,1.5A,
1N5396硅整流二极管 500V,1.5A,
1N5397硅整流二极管 600V,1.5A,
1N5398硅整流二极管 800V,1.5A,
1N5399硅整流二极管 1000V,1.5A,
1N5400硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A) 1N5401硅整流二极管 100V,3A,
1N5402硅整流二极管 200V,3A,
1N5403硅整流二极管 300V,3A,
1N5404硅整流二极管 400V,3A,
1N5405硅整流二极管 500V,3A,
1N5406硅整流二极管 600V,3A,
1N5407硅整流二极管 800V,3A,
1N5408硅整流二极管 1000V,3A
