整流二极管的常用参数——兴海电子供应，厂家直销哦！
（1）MAX平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的MAX正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
（2）MAX反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的MAX反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而 引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV
（3）MAX反向电流IR：它是二极管在MAX反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。
（4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。
（5）MAX工作频率fm：它是二极管在正常情况下的MAX工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。
（6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及MAX反向瞬态电压下的反向恢复时间。
（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其 参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极 管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
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国产半导体器件的命名方法——兴海电子供应，厂家直销
二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
第·一部分：用数字表示器件电极的数目。
第·二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第·三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。
第·四部分：用数字表示器件序号。
第·五部分：用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 ． 1 所示。
表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法
第·一部分 第·二部分 第·三部分 第·四部分 第·五部分
符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义
2二极管AN 型，锗材料P普通X低频小功率
(fa<3MHz ， Pc<1W)反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如
A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压低， B 稍高
BP 型，锗材料W稳压管
CN 型，硅材料Z整流管G高频小功率
(fa>3MHz ， Pc<1W)
DP 型，硅材料L整流堆
3三极管APNP 型，锗材料N阻尼管D低频大功率
(fa<3MHz ， Pc>1W)
BNPN 型，锗材料K开关管
CPNP 型，硅材料F发光管A高频大功率
(fa>3MHz ， Pc>1W)
DNPN 型，硅材料S隧道管
E化合物材料U光电管T可控硅
CS场效应管
BT特殊器件
