反向恢复时间
测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式：
trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)
由式(5.3.1)可知，当IRM为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。
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半导体中的隧道效应
隧道效应──微观粒子能透入按经典力学规律它不可能进入的势垒区，是反映微观粒子的波动性的一种基本效应。可以把半导体（或绝缘体）中的电子迁移现象理解为在外电场下，束缚在一个原子中的电子，通过隧道穿透势垒，到另一个原子中。不过，通常说的半导体中的隧道效应指的不是这种对原子势场的量子隧道效应。而是指电子对半导体中宏观势垒的穿透，这个宏观势垒是半导体的禁带造成的。
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LED结构
LED的结构依应用和材料掺杂情况而异。用于可见光指示和显示方面的LED,要求结构优化以获得高效率;用于光通信方面的LED,需要有高辐射度以把功率耦合入纤维，还希望有较大的调制能力。用作指示灯和显示器的LED的基本结构。
半导体发光二极管
光通信用 LED的发射波长必须在光纤呈现低损耗的窗口区。0.8~0.9微米的GaAlAs-GaAs发光管和1.3~1.6微米的InGaAsP-InP发光管,波长分别落在石英纤维的A和B透明窗口。为了与纤维耦合,光可以从LED的一面或一边提取。
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