瓷介电容,兴海电子厂货直供,瓷介电容规格

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瓷介电容器按四种情况分类      东莞市兴海塑胶电子有限公司为客户提供高品质瓷介电容器,欢迎咨询!     1.高介电常数电容器和低介电常数电容器的两种介质;     2.高频瓷介电容器和低频瓷介电容器的两种频率;     3.高压...


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瓷介电容器按四种情况分类

      东莞市兴海塑胶电子有限公司为客户提供高品质瓷介电容器,欢迎咨询!

     1.高介电常数电容器和低介电常数电容器的两种介质;

     2.高频瓷介电容器和低频瓷介电容器的两种频率;

     3.高压瓷介电容器和低压瓷介电容器的两种电压;

     4.圆片形、管形、穿心式、筒形以及叠片式等的外形结构。

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低压瓷介电容及高压电容器命名及简称

高压瓷介电容器分别为: 高压电容器(CC81),超高压电容器(CT81)

低压瓷介电容器分别为:半导体电容器(CS1),高介电常数瓷介电容器(CT1),高频瓷介电容器(CC1)

材质:CH,SL,Y5P,YL,BN,Y5V,Y5U,Z5U

正负公差:±20% ±10%,±5%


低压高压瓷片介质电容器--东莞市兴海塑胶电子有限公司专业生产商

高压瓷介电容器分别为: 高压电容器(CC81),超高压电容器(CT81),

低压瓷介电容器分别为:半导体电容器(CS1),高介电常数瓷介电容器(CT1),高频瓷介电容器(CC1),

材质:CH,SL,Y5P,YL,BN,Y5V,Y5U,Z5U,

正负公差:±20% ±10%,±5%,

适用于高频电路,振荡、交联、和退偶、滤波。

陶瓷基体原料含N配方、容量从1P至数十uF均有、耐压从几V至上万v、做谐振、滤波、耦合、退耦、功率传输、隔直、贮能。

上标示规格为:前两位为数字,第三位为倍率(10的N次方),第四位字母为误差等级。

瓷片电容因其物理结构限制,目前都是pF级的小容量,所以默认单位都是pF,电容上不另做标示。

如:104P

10*10000=10000pF=0.1uF,误差为±0.02%。

瓷片电容误差标示:

X ±0.001%

E ±0.005%

L ±0.01%

P ±0.02%

W ±0.05%

B ±0.1%

C ±0.25%

D ±0.5%

F ±1%

G ±2%

J ±5%

K ±10%

M ±20%

N ±30%

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