低压高压瓷片介质电容器--东莞市兴海塑胶电子有限公司专业生产商
高压瓷介电容器分别为： 高压电容器(CC81)，超高压电容器(CT81)，
低压瓷介电容器分别为：半导体电容器（CS1),高介电常数瓷介电容器（CT1),高频瓷介电容器（CC1),
材质：CH,SL,Y5P,YL,BN,Y5V,Y5U,Z5U,
正负公差：±20% ±10%，±5%，
适用于高频电路，振荡、交联、和退偶、滤波。陶瓷基体原料含N配方、容量从1P至数十uF均有、耐压从几V至上万v、做谐振、滤波、耦合、退耦、功率传输、隔直、贮能。
上标示规格为：前两位为数字，第三位为倍率(10的N次方)，第四位字母为误差等级。
瓷片电容因其物理结构限制，目前都是pF级的小容量，所以默认单位都是pF，电容上不另做标示。
如：104P
10*10000＝10000pF=0.1uF，误差为±0.02%。
瓷片电容误差标示：
X ±0.001%
E ±0.005%
L ±0.01%
P ±0.02%
W ±0.05%
B ±0.1%
C ±0.25%
D ±0.5%
F ±1%
G ±2%
J ±5%
K ±10%
M ±20%
N ±30%
欢迎想了解更多瓷介电容器相关资讯的朋友，直接来电兴海塑胶电子，或者向在线客服咨询了解哦！
更多电容器详情，或拨打下方全国销售电话，联系人：罗小姐 陈先生
高介电常数瓷介电容器特点
介电常数高M
容量大
体积小
推荐应用领域
适用于旁路、耦合、隔直流和滤波等电路中
符合ROHS指令 REACH指令 无溴无卤
使用与保管环境
（1） 电容器的绝缘层不具有良好的密封作用；因此，请勿将电容器存放在腐蚀性气体中，尤其是存在气，硫气，酸，碱，盐等的场所，同时应防潮。
（2） 电容器应存放在温度及相对湿度分别不超出-10至40℃及15至85%范围的场所。
（3） 请在交货后6个月内使用电容器。
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高压瓷介电容器分别为： 高压电容器(CC81)，超高压电容器(CT81)
低压瓷介电容器分别为：半导体电容器（CS1),高介电常数瓷介电容器（CT1),高频瓷介电容器（CC1)
材质：CH,SL,Y5P,YL,BN,Y5V,Y5U,Z5U
正负公差：±20% ±10%，±5%
