对于平常日用的一些产品，产品在进行设计时就会考虑这个问题，顾客只是简单的利用插头进行电源的连接，所以一般采用反插错接头，这是种简单，低价而有效的方法。
但是，对于产品处于工厂生产阶段，可能不便采用防差错接头，这可能就会造成由于生产人员的疏忽造成反接，带来损失。
所以给电路增加防接反电路有时还是有必要的，尽管增加了成本。
关于详情，敬请来电垂询！
联 系 人：苏先生
极管DO-41和DO-15封装有什么区别？
各字母和数字代表什么意思
DO-41 & DO-15 是美国EIA 所制定的 电子元件外型 规范, 都是插立元件. DO-41 本体直径 2.0mm(2.7 Max),本体长度 4.0mm(5.2Max),两端接脚直径各为0.71mm( 0.86Max),长度各为25.4mm. DO-15 本体直径 4.8mm(5.3 Max),本体长度 7.2mm( 9.5Max),两端接脚直径各为1.2mm( 1.32Max),长度各为25.4mm.
关于详情，敬请来电垂询！ 联 系 人：苏先生
实际的功率二极管用在不同的地方，其结果也是并不相同的，按照书中整流和续流两块去分析，我可能将之整理一下效果较好。感兴趣的同志们可以去看看，挺详细和详实的一本书。
整个开关过程，实质上，就是认为对结电容进行操作。如果没有电容，整个开关过程是非常理想的，也就等效成为一个理想的开关了。
补充（引用网上不明作者的图和过程分析）：
由于二极管外加正向电压时，载流子不断扩散而存储的结果。当外加正向电压时Ｐ区空穴向Ｎ区扩散，Ｎ区电子向Ｐ区扩散，这样，不仅使势垒区（耗尽区）变窄，而且使载流子有相当数量的存储，在Ｐ区内存储了电子，而在Ｎ区内存储了空穴，它们都是非平衡少数载流子
空穴由Ｐ区扩散到Ｎ区后，并不是立即与Ｎ区中的电子复合而消失，而是在一定的路程LP（扩散长度）内，一方面继续扩散，一方面与电子复合消失，这样就会在 LP范围内存储一定数量的空穴，并建立起一定空穴浓度分布，靠近结边缘的浓度大，离结越远，浓度越小。正向电流越大，存储的空穴数目越多，浓度分布的梯度也越大。我们把正向导通时，非平衡少数载流子积累的现象叫做电荷存储效应。
当输入电压突然由+VF变为-VR时Ｐ区存储的电子和Ｎ区存储的空穴不会马上消失，但它们将通过下列两个途径逐渐减少：
关于详情，敬请来电垂询！
联 系 人：苏先生
