晶体管（为避免与下文中的FET产生混淆，也可称之为双极型晶体管）是P型半导体和N型半导体相互叠加，呈三明治夹层构造的元件。根据叠加顺序不同，可分为NPN型和PNP型两类。
我们来看一下工作原理。
基区?发射区和二极管结构相同。在此外加正向电压（0.7V左右）产生基极电流（IB）。大量自由电子从发射区流入基区，基区复合的载流子少于发射区扩散出来的，则自由电子剩余。剩余自由电子被集电极上外加的E2吸引。发射区扩散的载流子数量为复合载流子数量的10～数百倍，用此比率扩大IB，产生集电极电流（IC）。如IB为0时，发射区无载流子扩散，则IC也为0。也就是说，基区?发射区之间的正向电流IB可以控制基区?发射区之间的电流IC。这种特性适用于放大器和开关，构成电子电路的基本元件。通过组合这种晶体管可形成较为复杂的电子电路。
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瞬态抑制二极管的主要特性参数
最大箝位电压VC：TVS管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。
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