SOD-123FL小封装贴片二极管，该产品特点如下：
1：此产品采用大功率、小封装、全框架式的新型封装技术；
2：占位面积比SMA少46%，比SMB少65%，比SMC少85%高度比SMA低45%，比SMB低50%，比SMC低50%；
3：直接代替SOD-123海鸥脚产品使用:电流容量大，GPP玻璃钝化涵盖0.5-1A，Schottky肖特基涵盖1-3A；
4：采用框架焊接式工艺 提供了高可靠性和电流容量大等特性；
5：低热阻低结温高抗浪涌设计，引线平贴器件底部，散热路径短，改进了用于硅芯片散热的片状引线框架的外形，抗正向浪涌能力强，实现了小体积大功率的技术突破；
6：产品各类齐全，除常规GPP Schottky外，还有200W TVS 、1.0W ZENER以及LED节能灯控制电路专用二极管。是当今电子产品微型化的设计趋势，适合节省电路板空间设计的应用。
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联 系 人：苏先生
半导体中的隧道效应
隧道效应──微观粒子能透入按经典力学规律它不可能进入的势垒区，是反映微观粒子的波动性的一种基本效应。可以把半导体（或绝缘体）中的电子迁移现象理解为在外电场下，束缚在一个原子中的电子，通过隧道穿透势垒，到另一个原子中。不过，通常说的半导体中的隧道效应指的不是这种对原子势场的量子隧道效应。而是指电子对半导体中宏观势垒的穿透，这个宏观势垒是半导体的禁带造成的。
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