(1)可用特性相同，参数指标不低于原件的二极管代用。比如可用Ru2(650V、1A、1.5v)代用$5295J(650V、1A、1.5V)、RG2(400V、1.5A、1.5v)代用S5295G(400V、1A、1.5V)。 (2)MA29TB可用三只lN4148串联代用。MA29TB实质上是3个PN结正向串联的二极管，环境温度越高，正向压降越小，一般在1.8V～2.1V之间，用以确保在环境温度变化时，起补偿作用。如图1所示。 (3)可用两只或多只稳压二极管串联等值代用另一稳压管(满足功率要求情况下)如图所示。
注意：不可反过来代用，若原机是采用两只或多只二极管相串使用，是为了抑制温漂，起温度补偿作用，若用一只等值二极管代之，则整机性能变
差。
(4)那些特殊二极管应用原型号代用(比如变容二极管、红外二极管、发光二极管等)。另外，代用二极管须与原件特性相同。不能将硅、锗管互代。
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FET（Filed Effect Transistor：场效应晶体管）大致可分为MOS（Metal Oxide Semiconductor：金属氧化物半导体）和结型两类。特别是MOS型FET（MOSFET），与上述双极型晶体管相比，其平面型结构以及相邻同类元件间干扰极小，基本上无需分离使用，因易于集成化、细微化且低功耗，因此是IC和LSI中必不可少的元件。接下来我们来看看MOS型FET的工作原理。
图7是N型MOSFET概要图。G被称为“栅”极，G下面是作为绝缘体的氧化膜，源极S和漏极D夹住栅极。栅极与源极之间电压为0V时，N型半导体构成的源极和漏极之间夹入P型半导体，形成反向结合，形成绝缘。也就是说，源极和漏极之间无电流通过。
当在栅极上外加电压时，自由电子被吸引到栅极下方。源极和漏极之间自由电子增多，电流容易通过。也就是说，可以通过向栅极外加电压，来控制源漏极之间的电流。
其主要被用于开关电路及放大电路。当栅极上外加的电压稳定不变时，源漏极间电流也稳定，因此可用作定电压源。
栅极下面的电流通道为N型时称为N型MOSFET，栅极下面的电流通道为P型时P型MOSFET。
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