TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点，目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。
广东固锝电子科技有限公司专业生产销售各类二极管二十多年，TVS管分为400W,600W,1500W,3000W,5000W,可以根据客户要求生产不同电压点，同时可分为单向或双向。
FET（Filed Effect Transistor：场效应晶体管）大致可分为MOS（Metal Oxide Semiconductor：金属氧化物半导体）和结型两类。特别是MOS型FET（MOSFET），与上述双极型晶体管相比，其平面型结构以及相邻同类元件间干扰极小，基本上无需分离使用，因易于集成化、细微化且低功耗，因此是IC和LSI中必不可少的元件。接下来我们来看看MOS型FET的工作原理。
图7是N型MOSFET概要图。G被称为“栅”极，G下面是作为绝缘体的氧化膜，源极S和漏极D夹住栅极。栅极与源极之间电压为0V时，N型半导体构成的源极和漏极之间夹入P型半导体，形成反向结合，形成绝缘。也就是说，源极和漏极之间无电流通过。
当在栅极上外加电压时，自由电子被吸引到栅极下方。源极和漏极之间自由电子增多，电流容易通过。也就是说，可以通过向栅极外加电压，来控制源漏极之间的电流。
其主要被用于开关电路及放大电路。当栅极上外加的电压稳定不变时，源漏极间电流也稳定，因此可用作定电压源。
栅极下面的电流通道为N型时称为N型MOSFET，栅极下面的电流通道为P型时P型MOSFET。
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