瞬态抑制二极管的主要特性参数
击穿电压VBR：TVS管通过规定的测试电流IT时的电压，这是表示TVS管导通的标志电压
广东固锝电子科技有限公司专业生产销售各类二极管二十多年，可以根据客户要求生产不同电压点，同时可分为单向或双向。
FET（Filed Effect Transistor：场效应晶体管）大致可分为MOS（Metal Oxide Semiconductor：金属氧化物半导体）和结型两类。特别是MOS型FET（MOSFET），与上述双极型晶体管相比，其平面型结构以及相邻同类元件间干扰极小，基本上无需分离使用，因易于集成化、细微化且低功耗，因此是IC和LSI中必不可少的元件。接下来我们来看看MOS型FET的工作原理。
图7是N型MOSFET概要图。G被称为“栅”极，G下面是作为绝缘体的氧化膜，源极S和漏极D夹住栅极。栅极与源极之间电压为0V时，N型半导体构成的源极和漏极之间夹入P型半导体，形成反向结合，形成绝缘。也就是说，源极和漏极之间无电流通过。
当在栅极上外加电压时，自由电子被吸引到栅极下方。源极和漏极之间自由电子增多，电流容易通过。也就是说，可以通过向栅极外加电压，来控制源漏极之间的电流。
其主要被用于开关电路及放大电路。当栅极上外加的电压稳定不变时，源漏极间电流也稳定，因此可用作定电压源。
栅极下面的电流通道为N型时称为N型MOSFET，栅极下面的电流通道为P型时P型MOSFET。
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