晶体管（为避免与下文中的FET产生混淆，也可称之为双极型晶体管）是P型半导体和N型半导体相互叠加，呈三明治夹层构造的元件。根据叠加顺序不同，可分为NPN型和PNP型两类。
我们来看一下工作原理。
基区?发射区和二极管结构相同。在此外加正向电压（0.7V左右）产生基极电流（IB）。大量自由电子从发射区流入基区，基区复合的载流子少于发射区扩散出来的，则自由电子剩余。剩余自由电子被集电极上外加的E2吸引。发射区扩散的载流子数量为复合载流子数量的10～数百倍，用此比率扩大IB，产生集电极电流（IC）。如IB为0时，发射区无载流子扩散，则IC也为0。也就是说，基区?发射区之间的正向电流IB可以控制基区?发射区之间的电流IC。这种特性适用于放大器和开关，构成电子电路的基本元件。通过组合这种晶体管可形成较为复杂的电子电路。
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(1)可用特性相同，参数指标不低于原件的二极管代用。比如可用Ru2(650V、1A、1.5v)代用$5295J(650V、1A、1.5V)、RG2(400V、1.5A、1.5v)代用S5295G(400V、1A、1.5V)。 (2)MA29TB可用三只lN4148串联代用。MA29TB实质上是3个PN结正向串联的二极管，环境温度越高，正向压降越小，一般在1.8V～2.1V之间，用以确保在环境温度变化时，起补偿作用。如图1所示。 (3)可用两只或多只稳压二极管串联等值代用另一稳压管(满足功率要求情况下)如图所示。
注意：不可反过来代用，若原机是采用两只或多只二极管相串使用，是为了抑制温漂，起温度补偿作用，若用一只等值二极管代之，则整机性能变
差。
(4)那些特殊二极管应用原型号代用(比如变容二极管、红外二极管、发光二极管等)。另外，代用二极管须与原件特性相同。不能将硅、锗管互代。
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