二极管是由P型半导体和N型半导体形成的,构造简单。P型和N型结界面周围,各个载流子扩散并结合,从而出现了不存在载流子的区域。在这个区域里,带电的杂质形成势垒电场,通过阻止载流子扩散阻碍结合。我们将这个不存在载流子的势垒电场称为耗尽层。
在二极管的两端,P型区域外加正电压,N型区外加负电压,向耗尽层变窄的方向上加入能量,则载流子极易向两边漂移,再次产生复合,因复合而消失的载流子被外加电压的电流补给,形成定向电流。与此相反,当在P型区域外加负电压,N型区外加正电压时,向载流子被电极吸引的方向上加入能量,则耗尽层变宽,电流几乎不再流动。上述电流单向流动即为二极管的基本原理—整流作用。易于电流流动的方向称为正向,不易电流流动的方向称为反向。
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瞬态抑制二极管的主要特性参数
反向断态电压(截止电压)VRWM与反向漏电流IR:反向断态电压(截止电压)VRWM表示TVS管不导通的最高电压,在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。
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