半导体的导电特性
1、半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。
2、常见的半导体有热敏电阻（如钴、锰、镍等的氧化物）、光敏电阻（如镉、铅等的硫化物与硒化物）。
3、 在纯净的半导体中掺入微量的某种杂质后，它的导电能力就可增加几十万甚至几百万倍。例如在纯硅中掺入百万分之一的硼后，硅的电阻率就大大减小，利用这种特性制成了各种不同的半导体器件，如二极管、双极型晶体管、场效晶体管及晶闸管等。
4、本征半导体就是完全纯净的、晶格完整的半导体。
5、在本征半导体的晶体结构中，原子之间以共用电子对的形式构成共价键结构。共价键中的电子在获得一定能量后可挣脱原子核的束缚成为自由电子，此时该共价键就留下一个空位，成为空穴。自由电子和空穴都称为载流子。
6、当半导体两端加上外电压时，半导体中将出现电子电流、空穴电流，即同时存在着电子导电和空穴导电。这是半导体导电的特点，也是半导体和金属在导电原理上的本质差别。
7、本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡。
8、N型半导体是在硅或锗的晶体中掺入磷（或其他五价元素），半导体中的自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，也称作电子半导体。在N型半导体中，自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子。
9、P型半导体是在硅或锗晶体中掺入硼（或其他三价元素），半导体中形成了大量空穴，空穴导电成为主要的导电方式，也称作空穴半导体。在P型半导体中，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
10、不论是N型半导体还是P型半导体，虽然它们都有一种载流子占多数，但是整个晶体仍然是不带电的。
关于详情，敬请来电垂询！
联 系 人：苏先生
二极管在较高频率下应用的时候，需要注意二极管除了我们知道的正常的导通状态和正常的截至状态以外，在两种状态之间，转换过程中还存在着开启效应和关断效应。
① 开启效应:表征着二极管由截止过渡到导通的特性，从反向电压VR正向导通，跳变至电压VP，然后慢慢降低为二极管正向导通电压VF，达到稳定状态的过程称为二极管的正向恢复过程。这一过程所需要的时间称为正向恢复时间。开启过程的过程是对对反偏二极管的结电容充电，使二极管的电压缓慢上升，因PN结耗尽区的工作机理，使电压的上升比电流的上升要慢很多。
② 关断效应：表征着二极管由导通过渡到截止的特性，从二极管正向导通电压VF，跳变至负向电压VFF，然后反向截止达到稳定状态VR的过程称为二极管的反向恢复过程。这一过程所需要的时间称为反向恢复时间。由于电荷存储效应，二极管正向导通时，会存在非平衡少数载流子积累的现象。在关断过程中存储电荷消失之前，二极管仍维持正偏的状态。为使其承受反向阻断的能力，必需将这些少子电荷抽掉。反向恢复时间分为存储时间Ts与下降时间Tf，存储时间时二极管处在抽走反向电荷的阶段，在这段时间以后电压达到反向值，二极管可开始反向阻断，下降时间则是对二极管耗尽区结电容进行充电的过程，直到二极管完全承受外部所加的反向电压，进入稳定的反向截止状态。
二极管的暂态开关过程就是PN结电容的充、放电过程。二极管由截止过渡到导通时，相当于电容充电，二极管由导通过渡到截止时，相当于电容放电。二极管结电容越小，充、放电时间越短，过渡过程越短，则二极管的暂态开关特性越好。
关于详情，敬请来电垂询！
联 系 人：苏先生
