瞬态抑制（TVS）二极管的术语和定义
电撬设备
该类抑制器具有“电撬”特性，通常与4层NPNP硅控双极装置或等离子气体/GDT装置有关。一旦达到阈值或转折电压，则电流的进一步增加将导致设备快速导电，其正向电压降仅为几伏。实质上，线路在发生瞬态现象时将处于暂时的“短路”状态。
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半导体的导电特性
1、半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。
2、常见的半导体有热敏电阻（如钴、锰、镍等的氧化物）、光敏电阻（如镉、铅等的硫化物与硒化物）。
3、 在纯净的半导体中掺入微量的某种杂质后，它的导电能力就可增加几十万甚至几百万倍。例如在纯硅中掺入百万分之一的硼后，硅的电阻率就大大减小，利用这种特性制成了各种不同的半导体器件，如二极管、双极型晶体管、场效晶体管及晶闸管等。
4、本征半导体就是完全纯净的、晶格完整的半导体。
5、在本征半导体的晶体结构中，原子之间以共用电子对的形式构成共价键结构。共价键中的电子在获得一定能量后可挣脱原子核的束缚成为自由电子，此时该共价键就留下一个空位，成为空穴。自由电子和空穴都称为载流子。
6、当半导体两端加上外电压时，半导体中将出现电子电流、空穴电流，即同时存在着电子导电和空穴导电。这是半导体导电的特点，也是半导体和金属在导电原理上的本质差别。
7、本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡。
8、N型半导体是在硅或锗的晶体中掺入磷（或其他五价元素），半导体中的自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，也称作电子半导体。在N型半导体中，自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子。
9、P型半导体是在硅或锗晶体中掺入硼（或其他三价元素），半导体中形成了大量空穴，空穴导电成为主要的导电方式，也称作空穴半导体。在P型半导体中，空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
10、不论是N型半导体还是P型半导体，虽然它们都有一种载流子占多数，但是整个晶体仍然是不带电的。
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