山东整流二极管,兴海行业模范,整流二极管厂

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开关二极管

1S1553 硅开关二极管 70V,100mA,300mW, 3.5PF,300ma,

1S1554 硅开关二极管 55V,100mA,300mW, 3.5PF,山东整流二极管,300ma,

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1S2076 硅开关二极管 35V,150mA,250mW, 8nS, 3PF,450ma, Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,

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1S2471 硅开关二极管 80V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,

1S2471B 硅开关二极管 90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,

1S2471V 硅开关二极管 90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,

1S2472 硅开关二极管 50V, Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,

1S2473 硅开关二极管 35V, Ir≤0.5uA,整流二极管代理,Vf≤1.2V,≤3PF,

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兴海塑胶电子专业提供各种型号的高质的硅开关二极管,欢迎广大的客户在线咨询或者上门洽谈业务。



国产半导体器件的命名方法——兴海电子供应,厂家直销

二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定,由五部分组成。

第·一部分:用数字表示器件电极的数目。

第·二部分:用汉语拼音字母表示器件材料和极性。

第·三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型。

第·四部分:用数字表示器件序号。


第·五部分:用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 . 1 所示。

表 5 . 1 国产半导体器件的命名方法

第·一部分 第·二部分 第·三部分 第·四部分 第·五部分

符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义

2二极管AN 型,锗材料P普通X低频小功率

(fa<3MHz , Pc<1W)反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如

A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压低, B 稍高

BP 型,锗材料W稳压管

CN 型,硅材料Z整流管G高频小功率

(fa>3MHz ,整流二极管厂, Pc<1W)

DP 型,硅材料L整流堆

3三极管APNP 型,锗材料N阻尼管D低频大功率

(fa<3MHz , Pc>1W)

BNPN 型,锗材料K开关管

CPNP 型,硅材料F发光管A高频大功率

(fa>3MHz , Pc>1W)

DNPN 型,硅材料S隧道管

E化合物材料U光电管T可控硅

CS场效应管

BT特殊器件



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