半导体中的隧道效应
隧道效应──微观粒子能透入按经典力学规律它不可能进入的势垒区，是反映微观粒子的波动性的一种基本效应。可以把半导体（或绝缘体）中的电子迁移现象理解为在外电场下，束缚在一个原子中的电子，通过隧道穿透势垒，到另一个原子中。不过，通常说的半导体中的隧道效应指的不是这种对原子势场的量子隧道效应。而是指电子对半导体中宏观势垒的穿透，这个宏观势垒是半导体的禁带造成的。
台湾固锝”TGD”专业提供整体方案
关于详情，敬请来电垂询！
联 系 人：苏先生
肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。
台湾固锝”TGD”专业提供整体方案
关于详情，敬请来电垂询！
联 系 人：苏先生
三极管MMBT3906封装SO|MMBT3906|台湾固锝由广东固锝电子科技有限公司提供。行路致远，砥砺前行。广东固锝电子科技有限公司（www.goodark.asia）致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为二极管较具影响力的企业，与您一起飞跃，共同成功!