针对化学微蚀刻法和微细电镀法制备微流控芯片金属模具进行了工艺对比研究。采用激光共聚焦显微镜分别检测表征由这两种加工工艺制备所得的模具微结构特征，中山南区蚀刻加工，对其侧壁陡度、尺寸均匀性、粗糙度进行对比分析。结果表明，化学微蚀刻法制备的模具微结构的侧壁呈不规则弧形、尺寸均匀性差，表面粗糙度较大(Ra=3.58μm)。而微细电镀法制备的模具微结构的侧壁则呈规则的梯形、尺寸均匀性好，蚀刻加工，表面粗糙度较小(Ra=0.65μm)。微细电镀法制备的微流控芯片金属模具综合效果比化学微蚀刻好。
其基本原理是利用化学感光材料的光敏特性， 在基体金属基片两面均匀涂敷感光材料采用光刻方法，中山西区蚀刻加工， 将胶膜板上栅网产显形状精确地复制到金属基片两面的感光层掩膜上通过显影去除未感光部分的掩膜， 将裸露的金属部分在后续的加工中与腐蚀液直接喷压接触而被蚀除， 最终获取所需的几何形状及高精度尺寸的产品技术蚀刻技术蚀刻一共有两大类：1：干式蚀刻; 2:湿式蚀刻。
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