晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
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1N4007 是封装形式为 DO-15 的塑料封装型通用硅材料整流二极管。广泛应用于各种交流变直流的整流电路中。
IN4007的作用利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。
IN4007的主要参数二极管类型:Standard
Recovery
整流二极管IN4007
电压,
Vrrm:1000V
电流, If平均:1A
正向电压Vf:1.1V
电流, Ifs:30A
封装形式:DO-41
针脚数:2
器件标记:1N4007
封装类型:DO-41
总功率,
Ptot:2.5W
正向电压,于If:1.1V
电流,
Ifsm:30A
结温,
Tj:175°C
表面安装器件:轴向引线
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