硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，R，不能被电池利用。为此，科学家们给它 涂上了一层反射系数非常小的保护膜（如图） ，R450M，实际工业生产基本都是用化学气相沉积沉积 一层氮化硅膜，厚度在 1000 埃左右。将反射损失减小到 5％甚至更小。一个电池所能提供 的电流和电压毕竟有限，R438，于是人们又将很多电池（通常是 36 个）并联或串联起来使用，形 成太阳能光电板。 2．硅太阳能电池的生产流程 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度 350～450μ m 的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉 或浇铸的硅锭上锯割而成。
2、F+、F- 为励磁输出端。接励磁绕组输入端，连接时须注意极性。极性反时剩磁残压会低于4V，导致不能启动。
4、V、V220、V380 为检测信号输入端，R450，接发电机的输出端线电压。注：V 是公共输入，它既是电源输入，也是检测输入
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