快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
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Δ二极管D接在电压跟随器反馈支路中。
ΔD导通时，
(开环增益)，与上面普通二极管导通时Uo=Ui－UD相比，UD的影响减小到
。如果死区电压UD=0.5V，则
，可见Ui’只要大于5μV使D导通，就有输出。
Δ工作原理分析见图(b)传输特性。当Ui>0，Uo’>0，D通iL>0，Uo=Ui 当Ui<0，Uo’<0，D止iL=0，Uo=0
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