1n4007
整流二极管,较强的正向浪涌承受能力：30A ,正向平均整流电流：1.0A ,反向耐压：1000V
基本信息
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外文名称
1n4007
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反向耐压
1000V
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正向压降
1.0V
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工作温度
－50℃～+150℃
1基本信息
2主要特性
折叠编辑本段基本信息
较强的正向浪涌承受能力：30A
正向平均整流电流：1.0A
反向耐压：1000V
低的反向漏电流：5uA
正向压降：1.0V
反向峰值电流：30uA
典型热阻：65℃/W
典型结电容：15pF[1]
工作温度：－50℃～+150℃
封装：DO-41
还有二极管
1N5822这个是3A的肖特基二极管,反压40VRL207是普通的2A整流二极管，反压1000V
折叠编辑本段主要特性
特征
·低的反向漏电流普通塑封整流二极管·较强的正向浪涌承受能力
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联 系 人：苏先生
半导体中的隧道效应
隧道效应──微观粒子能透入按经典力学规律它不可能进入的势垒区，是反映微观粒子的波动性的一种基本效应。可以把半导体（或绝缘体）中的电子迁移现象理解为在外电场下，束缚在一个原子中的电子，通过隧道穿透势垒，到另一个原子中。不过，通常说的半导体中的隧道效应指的不是这种对原子势场的量子隧道效应。而是指电子对半导体中宏观势垒的穿透，这个宏观势垒是半导体的禁带造成的。
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