陶瓷电容器的选用（二）
陶瓷电容器虽然耐压余量较薄膜电容器和电解电容器要大，但也不允许在超过其额定电压的条件下使用，否则由于电极中的金属离子在强电场作用下在陶瓷介质中的迁移速度加快而导致电容器绝缘电阻下降而影响整机长期工作的可靠性。
对于高温和高压条件下工作的电容器，应注意选用绝缘电阻较高的产品，以防因漏电增大产生恶性循环导致电容器失效。通常绝缘电阻IR≥10000MΩ。例如:在CRT加速极滤波位置应选用2KV耐压低损耗产品，以降低温升并保证有足够的绝缘电阻；对于行逆程电路，因对容量的稳定性和损耗要求较高，只能选用1类高压瓷介电容器，做为聚丙烯电容的容量补偿电容使用，否则会造成严重质量隐患。
陶瓷电容器的发展历史
1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容器。30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容器。
1940年前后人们发现了现在的陶瓷电容器的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将陶瓷电容器使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。而陶瓷叠片电容器于1960年左右作为商品开始开发。到了1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，成为电子设备中不可缺少的零部件。现在的陶瓷介质电容器的全部数量约占电容器市场的70%左右。
