快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。
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LED结构
LED的结构依应用和材料掺杂情况而异。用于可见光指示和显示方面的LED,要求结构优化以获得高效率;用于光通信方面的LED,需要有高辐射度以把功率耦合入纤维，还希望有较大的调制能力。用作指示灯和显示器的LED的基本结构。
半导体发光二极管
光通信用 LED的发射波长必须在光纤呈现低损耗的窗口区。0.8~0.9微米的GaAlAs-GaAs发光管和1.3~1.6微米的InGaAsP-InP发光管,波长分别落在石英纤维的A和B透明窗口。为了与纤维耦合,光可以从LED的一面或一边提取。
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