高频瓷介电容器
高频陶瓷电容器又叫高频瓷介电容器，瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小,（tanδ≤0.15%，f=1MHz），极限使用频率可达1000MHz以上。同时该类瓷介电容器温度特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。其国标型号为CC1（低压）和CC81（高压）
陶瓷电容的选用（一）
对于高频谐振电路，除要求电容器损耗小外，还要求容量有良好的温度稳定性，通常选用1类瓷介电容，其中CH特性亦称为零温度系数产品，其容量基本不随温度而变化，但其容量仅在几PF~几百PF之间。
对于做低频耦合、旁路、滤波的电容器，往住考滤小型化及低本成是主要的，而对损耗和容量的温度稳定性要求不高，一般可选用2类瓷介电容器，其容量选择范围较宽。
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