二极管是由P型半导体和N型半导体形成的，构造简单。P型和N型结界面周围，各个载流子扩散并结合，从而出现了不存在载流子的区域。在这个区域里，带电的杂质形成势垒电场，通过阻止载流子扩散阻碍结合。我们将这个不存在载流子的势垒电场称为耗尽层。
在二极管的两端，P型区域外加正电压，N型区外加负电压，向耗尽层变窄的方向上加入能量，则载流子极易向两边漂移，再次产生复合，因复合而消失的载流子被外加电压的电流补给，形成定向电流。与此相反，当在P型区域外加负电压，N型区外加正电压时，向载流子被电极吸引的方向上加入能量，则耗尽层变宽，电流几乎不再流动。上述电流单向流动即为二极管的基本原理—整流作用。易于电流流动的方向称为正向，不易电流流动的方向称为反向。
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硅和锗是位于银、铝等导体和石英、陶瓷等绝缘体之间，用于制造半导体器件的原材料，具有一定电阻率。不同的物质其产生的不同电阻率是由于可移动的电子量不同引起的。这种可移动电子叫“自由电子”。一般我们把可以通过向其摻入杂质来改变自由电子的数量，并可控制电流动的物质称为半导体。
根据电流流动的构造，可将半导体分为N型和P型两类。
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