规格输出(DC)连续8A 90 Vdc@220Vac功率输入瞬间输出电流：10ADC，R，≤10秒励磁绕组电阻小8Ω输入电压(AC)180~250Vac，50/60Hz功率:1000VA（240Vac）检测电压(AC)180~250Vac（220Vac系统）单相，50/60 Hz；350~480Vac（400Vac系统）单相，50/60 Hz；
目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相 沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。 此外，液相外延法（LPPE）和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。 化学气相沉积主要是以 SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4 或 SiH4，GAVR12，为反应气体，在一定的保护气氛下 反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用 Si、SiO2、Si3N4 等。
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