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高压硅堆的检测 高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成,检测时,可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆,其正向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压硅堆已软击穿损坏。


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有机发光二极管基本的结构图如下图所示,同样是利用材料的特性,将电子电洞在发光层上结合,而将电子由激发态的形式降回基态,而将多余的能量以波的形式释出,因而达到有不同波长的发光组件的产生。OLED是利用在二个电极间分别注入电子及电洞,并利用有机分子的激发,而达到发光的功能。其中阳极为ITO导电玻璃膜,以蒸镀方式,附着于玻璃或透明塑料基板上,阴极则含有Mg、Al、Li等金属。在二个电极间则是多个有机薄膜形成的发光区域,包含电洞注入区、电洞传递区、有机发光层及电子传递层,在实际量产时,考虑不同需求,有时还会包含其它不同薄膜


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