Δ二极管D接在电压跟随器反馈支路中。
ΔD导通时，
(开环增益)，与上面普通二极管导通时Uo=Ui－UD相比，UD的影响减小到
。如果死区电压UD=0.5V，则
，可见Ui’只要大于5μV使D导通，就有输出。
Δ工作原理分析见图(b)传输特性。当Ui>0，Uo’>0，D通iL>0，Uo=Ui 当Ui<0，Uo’<0，D止iL=0，Uo=0
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半导体中的隧道效应
隧道效应──微观粒子能透入按经典力学规律它不可能进入的势垒区，是反映微观粒子的波动性的一种基本效应。可以把半导体（或绝缘体）中的电子迁移现象理解为在外电场下，束缚在一个原子中的电子，通过隧道穿透势垒，到另一个原子中。不过，通常说的半导体中的隧道效应指的不是这种对原子势场的量子隧道效应。而是指电子对半导体中宏观势垒的穿透，这个宏观势垒是半导体的禁带造成的。
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