R,忠信机电,AVR10A

 

在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是 先用 LPCVD 在 衬底上沉积一层较薄的非晶硅层，AVR10A，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶 粒， 然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜， 因此， 再结晶技术无疑是很重要的一个环 节， 目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。 多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺 外，另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术，这样制得的 太阳能电池转换效率 明显提高。

 

 

 

使电子发生了越迁，成为自由电子在 P－N 结两侧集聚形成了电位差，GAVR12，当外部接通 电路时，GAVR15B，在该电压的作用下，将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的实 质是：光子能量转换成电能的过程。 晶体硅太阳能电池的制作过程： “硅”是我们这个星 球上储藏最丰量的材料之一。自从 19 世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，R，它几乎 改变了一切，甚至人类的思维。 20 世纪末，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近 15 年来形 成产业化最快的。

 

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