桥堆的检测 1.全桥的检测 大多数的整流全桥上,均标注有“+”、“-”、“~”符号(其中“+”为整流后输出电压的正极,“-”为输出电压的负极,“~”为交流电压输入端),很容易确定出各电极。 检测时,可通过分别测量“+”极与两个“~”极、“-”极与两个“~”之间各整流二极管的正、反向电阻值(与普通二极管的测量方法相同)是否正常,即可判断该全桥是否已损坏。若测得全桥内鞭只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则可判断该二极管已击穿或开路损坏。 2.半桥的检测 半桥是由两只整流二极管组成,通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常,即可判断出该半桥是否正常。
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在半导体二极管中,你知道半导体二极管中IR 、IF 、IO 、IFSM、VRM、VR、fM、Trr、P代表的是哪些参数吗?下面我们就来一一了解吧。
1.反向饱和漏电流IR
指在半导体二极管两端加入反向电压时,流过二极管的电流,该电流与半导体材料和温度有关。在常温下,硅管的IR为纳安(10-9A)级,锗管的IR为微安(10-6A)级。
2.额定整流电流IF
指二极管长期运行时,根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3. 平均整流电流IO
在半波整流电路中,流过负载电阻的平均整流电流的值。这是设计时非常重要的值。
4. 浪涌电流IFSM
允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值相当大。
5.反向峰值电压VRM
即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。 因给整流器加的是交流电压,它的值是规定的重要因子。反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的反向电压。目前VRM值可达几千伏。
6. 直流反向电压VR
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