二极管的作用
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，中山整流二极管，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
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硅整流的二极管反向击穿电压高，漏电流小，整流二极管，高温性能好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安）， 不过它工作的频率不是很高，整流二极管生产厂家，一般在几十千赫兹（KHZ）以下。
这种二极管的PN结的单向导电特性的使用，交流变成脉动直流。整流二极管的电流较大，大多数使用的二极管表面接触材料封装。此外，整流二极管的参数，除了前面提到的几个和整流电流较大，是指整流二极管工作了很长一段时间被允许通过的max电流值。它是整流二极管的主要参数和主要依据。
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