整流二极管型号
二极管型号，用途，极限反向工作电压VR，极限平均整流电流
IF1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)
1N4002 硅整流二极管 100V, 1A,
1N4003 硅整流二极管 200V, 1A,
1N4004 硅整流二极管 400V, 1A,
1N4005 硅整流二极管 600V, 1A,
1N4006 硅整流二极管 800V, 1A,
1N4007 硅整流二极管 1000V, 1A,
1N4148 硅开关二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V,
1N5391 硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A)
1N5392 硅整流二极管 100V,1.5A,
1N5393 硅整流二极管 200V,1.5A,
1N5394 硅整流二极管 300V,1.5A,1N5395 硅整流二极管 400V,1.5A,
1N5396 硅整流二极管 500V,1.5A,1N5397 硅整流二极管 600V,1.5A,
1N5398 硅整流二极管 800V,1.5A,
1N5399 硅整流二极管 1000V,1.5A,
1N5400 硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)
1N5401 硅整流二极管 100V,3A,
1N5402 硅整流二极管 200V,3A,
1N5403 硅整流二极管 300V,3A,
1N5404 硅整流二极管 400V,3A,
1N5405 硅整流二极管 500V,3A,
1N5406 硅整流二极管 600V,3A,1N5407 硅整流二极管 800V,3A,
1N5408 硅整流二极管 1000V,3A,
二极管的作用
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
兴海二极管有着多年的二极管生产销售经验，可以大量供应优质二极管，欢迎广大客户来电咨询或者采购。
