整流二极管型号
二极管型号，用途，极限反向工作电压VR，极限平均整流电流
IF1N4001 硅整流二极管 50V， 1A，(Ir=5uA，Vf=1V，Ifs=50A)
1N4002 硅整流二极管 100V， 1A，
1N4003 硅整流二极管 200V， 1A，
1N4004 硅整流二极管 400V， 1A，
1N4005 硅整流二极管 600V， 1A，
1N4006 硅整流二极管 800V， 1A，
1N4007 硅整流二极管 1000V， 1A，
1N4148 硅开关二极管 75V， 4PF，Ir=25nA，二极管报价，Vf=1V，
1N5391 硅整流二极管 50V， 1.5A，(Ir=10uA，Vf=1.4V，Ifs=50A)
1N5392 硅整流二极管 100V，1.5A，
1N5393 硅整流二极管 200V，1.5A，
1N5394 硅整流二极管 300V，1.5A，1N5395 硅整流二极管 400V，1.5A，
1N5396 硅整流二极管 500V，1.5A，1N5397 硅整流二极管 600V，1.5A，
1N5398 硅整流二极管 800V，1.5A，
1N5399 硅整流二极管 1000V，1.5A，
1N5400 硅整流二极管 50V， 3A，(Ir=5uA，Vf=1V，Ifs=150A)
1N5401 硅整流二极管 100V，3A，
1N5403 硅整流二极管 300V，3A，
1N5404 硅整流二极管 400V，3A，
1N5405 硅整流二极管 500V，3A，
1N5406 硅整流二极管 600V，3A，1N5407 硅整流二极管 800V，3A，
1N5408 硅整流二极管 1000V，3A，
二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。
二极管正向特性 1)外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线OA段称为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为0.5伏， 锗的死区电压约为0.2伏，该电压值又称门坎电压或阈值电压。 2)当外加正向电压超过死区电压时，PN结内电场几乎被抵消，二极管呈现的电阻很小，正向电流开始增加，进入正向导通区，但此时电压与电流不成比例如AB段。随外加电压的增加正向电流迅速增加，如BC段特性曲线陡直，伏安关系近似线性，处于充分导通状态。 3)二极管导通后两端的正向电压称为正向压降(或管压降)，且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V，锗管的管压降约为0.3V。 二极管反向特性 1)二极管承受反向电压时，二极管，加强了PN结的内电场，二极管呈现很大电阻，此时仅有很小的反向电流。如曲线OD段称为反向截止区，此时电流称为反向饱和电流。实际应用中，反向电流越小说明二极管的反向电阻越大，反向截止性能越好。一般硅二极管的反向饱和电流在几十微安以下，锗二极管则达几百微安，大功率二极管稍大些。 2)当反向电压增大到一定数值时(图中D点)，反向电流急剧加大，进入反向击穿区，D点对应的电压称为反向击穿电压。二极管被击穿后电流过大将使管子损坏，因此除稳压管外，二极管的反向电压不能超过击穿电压。
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