在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是 先用 LPCVD 在 衬底上沉积一层较薄的非晶硅层，AS440，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶 粒，SX440/SE350， 然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜，0， 因此，SE350， 再结晶技术无疑是很重要的一个环 节， 目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。 多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺 外，另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术，这样制得的 太阳能电池转换效率 明显提高。
采用高级软质PVC制成。
· 用途:适用于各种配电盘，机械中复杂配线之分色处理，使线路能一目了然.软质弹性能适合于各种不同开关的端子，使用时著脱容易。
· 特点：电机电子用高级绝缘套管、色泽清晰、光亮、弹性佳、绝缘性良好编号适用端子
SQ(mm)尺寸包装D1(mm)D2(mm)V-1.251.253.33.1100PCSV-224.53.7V-3.53.55.74.1V-5.55.55.75.2V-887.26.2V-141410.08.0V-222212.09.5V-383814.011.8V-606016.813.5V-808019.016.0V-10010022.018.0V-12512524.020.050PCSV-15015024.422.0V-20020032.024.0V-25025038.026.525PCSV-32532538.029.0V-40040044.037.0V-50050045.040.4V-63063052.045.0
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