硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，3078115，不能被电池利用。为此，科学家们给它 涂上了一层反射系数非常小的保护膜（如图） ，3964427，实际工业生产基本都是用化学气相沉积沉积 一层氮化硅膜，厚度在 1000 埃左右。将反射损失减小到 5％甚至更小。一个电池所能提供 的电流和电压毕竟有限，3，于是人们又将很多电池（通常是 36 个）并联或串联起来使用，形 成太阳能光电板。 2．硅太阳能电池的生产流程 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度 350～450μ m 的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉 或浇铸的硅锭上锯割而成。
单相移相触发器采用单片机设计，内部含有同步信号检测，恒流源锯齿波形式，3021036，线形放大器，闭环PI调节器，稳压电源，功率放大及脉冲形成高频脉冲变压器隔离触发，可使导通角实现0-180度范围变化，可触发任何可控硅。
单相移相触发器
额定工作电压：220VAC，380VAC
输出电压变化范围：0-220VAC、0-380VAC或0-220VDC
脉冲移相范围：0-180度
输入控制信号：0-5VDC、4-20mA或10K电位器
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