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普通的压阻式压力传感器其敏感控测惠斯顿电桥的四个力敏点阻是用集成电路工艺制造的,电阻间用PN结相互隔离。由于受到PN结耐温限制,使用温度仅125°C,而实际上由于PN结反向漏电流随温度的指数上升关系,在温度超过100°C后,传感器性能已大大劣化,VDO传感器,这限制了普通压阻传感器的可用温度范围。利用厚薄膜技术制作力敏电阻,可将使用温度扩展至125°C;利用多晶硅SOI技术制作力敏电阻,可将使用温度扩展至150°C;利用传统SOS技术和先

 


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