硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用。为此，科学家们给它 涂上了一层反射系数非常小的保护膜（如图） ，SE350，实际工业生产基本都是用化学气相沉积沉积 一层氮化硅膜，厚度在 1000 埃左右。将反射损失减小到 5％甚至更小。一个电池所能提供 的电流和电压毕竟有限，SE350/VR6，于是人们又将很多电池（通常是 36 个）并联或串联起来使用，形 成太阳能光电板。 2．硅太阳能电池的生产流程 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度 350～450μ m 的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉 或浇铸的硅锭上锯割而成。
●检测输入： 电压：400VAC
频率：50/60Hz
●控制方式： 并调整励磁电流：15A
●稳态电压调整率：<1.5%
●输出功率： 30-300（KW）
频率 50/60（Hz）
电压 400（V）
相移相触发器采用单片机设计，内部含有同步信号检测，恒流源锯齿波形式，SE350，线形放大器，SE350/SR7，闭环PI调节器，稳压电源，功率放大及脉冲形成高频脉冲变压器隔离触发，可使导通角实现0-180度范围变化，可触发任何可控硅。
三相移相触发器采用单片机设计，无相序要求，三相对称性好，可使导通角实现0-150度范围变化，可触发任何可控硅。该三相触发模块只适用于星形接线，不适用三角形接线和感性负载。
广泛应用于交直流电机调速，控温设备，调光、电镀系功率调节场合。
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