国产半导体器件的命名方法——兴海电子供应，厂家直销
二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
第·一部分：用数字表示器件电极的数目。
第·二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第·三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。
第·四部分：用数字表示器件序号。
第·五部分：用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 ． 1 所示。
表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法
第·一部分 第·二部分 第·三部分 第·四部分 第·五部分
符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义
2二极管AN 型，锗材料P普通X低频小功率
(fa<3MHz ， Pc<1W)反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如
A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压低， B 稍高
BP 型，锗材料W稳压管
CN 型，硅材料Z整流管G高频小功率
(fa>3MHz ， Pc<1W)
DP 型，硅材料L整流堆
3三极管APNP 型，锗材料N阻尼管D低频大功率
(fa<3MHz ， Pc>1W)
BNPN 型，锗材料K开关管
CPNP 型，硅材料F发光管A高频大功率
(fa>3MHz ， Pc>1W)
DNPN 型，硅材料S隧道管
E化合物材料U光电管T可控硅
CS场效应管
BT特殊器件
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