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国产半导体器件的命名方法——兴海电子供应,厂家直销

二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定,由五部分组成。

第·一部分:用数字表示器件电极的数目。

第·二部分:用汉语拼音字母表示器件材料和极性。

第·三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型。

第·四部分:用数字表示器件序号。


第·五部分:用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 . 1 所示。

表 5 . 1 国产半导体器件的命名方法

第·一部分 第·二部分 第·三部分 第·四部分 第·五部分

符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义

2二极管AN 型,锗材料P普通X低频小功率

(fa<3MHz , Pc<1W)反映二极管三极管参数的差别反映二极管三极管承受反向击穿电压的高低。如

A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压低, B 稍高

BP 型,锗材料W稳压管

CN 型,硅材料Z整流管G高频小功率

(fa>3MHz , Pc<1W)

DP 型,硅材料L整流堆

3三极管APNP 型,锗材料N阻尼管D低频大功率

(fa<3MHz , Pc>1W)

BNPN 型,锗材料K开关管

CPNP 型,硅材料F发光管A高频大功率

(fa>3MHz , Pc>1W)

DNPN 型,硅材料S隧道管

E化合物材料U光电管T可控硅

CS场效应管

BT特殊器件



                                                         广


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