在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是 先用 LPCVD 在 衬底上沉积一层较薄的非晶硅层，ESD5500E，再将这层非晶硅层退火，ESD5500E，得到较大的晶 粒， 然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜， 因此， 再结晶技术无疑是很重要的一个环 节， 目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。 多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺 外，另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术，这样制得的 太阳能电池转换效率 明显提高。
经常性的“游车”和超负载，ESD5500E/5522，三相负载相差太大是造成AVR损坏的最主要原因；
（5）选择带E、F、C燃油系统的发电机组，ESD5500E/5550，由于频率变动小，AVR的使用会更可靠。
发电机AVR虽然属于非易损件，但由于种种原因造成非正常损坏，在发动机至发电机各部分良好的情况下，因为AVR损坏不能发电又急于用电的情况下
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