在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是 先用 LPCVD 在 衬底上沉积一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶 粒， 然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜， 因此， 再结晶技术无疑是很重要的一个环 节，AVR450， 目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。 多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺 外，另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术，这样制得的 太阳能电池转换效率 明显提高。
MX321
型号： MX321
名称： 稳压板
规格： 10-110V DC 5A
技术参数
电源输入：170-220V AC，3相3A(PMG)
感应检测：170-250 V AC二相或三相
输 出： 电压 120VDC
电流 3.7A(连续)
6A10S(瞬间)
保护功能：内置低速，AVR731，过励，过压，过流，LAM，
调 整 率：优于0.5%
MX321的功能特点: 除具备SX440的特点外，又增加了三相均方根检测，AVR450T，电压恢复时间，过电压保护，短路电流限制，AVR，去过剩磁等功能，电压调整精度达到0.5%，
是目前功能最完善性能更好的AVR。
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