国产半导体器件的命名方法——兴海电子供应,厂家直销
二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定,由五部分组成。
第·一部分:用数字表示器件电极的数目。
第·二部分:用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第·三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型。
第·四部分:用数字表示器件序号。
第·五部分:用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 . 1 所示。
表 5 . 1 国产半导体器件的命名方法
第·一部分 第·二部分 第·三部分 第·四部分 第·五部分
符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义
2二极管AN 型,锗材料P普通X低频小功率
(fa<3MHz , Pc<1W)反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如
A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压低, B 稍高
BP 型,锗材料W稳压管
CN 型,硅材料Z整流管G高频小功率
(fa>3MHz , Pc<1W)
DP 型,硅材料L整流堆
3三极管APNP 型,锗材料N阻尼管D低频大功率
(fa<3MHz , Pc>1W)
BNPN 型,锗材料K开关管
CPNP 型,硅材料F发光管A高频大功率
(fa>3MHz , Pc>1W)
DNPN 型,硅材料S隧道管
E化合物材料U光电管T可控硅
CS场效应管
BT特殊器件
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TG3508,TS01,UX-C2B,T3512H,T4512H,T3509,T4509,2CL3512H,2CL4512H,HVM12,2CL103,2CL104,HVM15, HVRT080-HVRT300,T0504,2CLG3512,FR02-60,CL01-12...
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RFC3K ,RFC4K, R3000, R5000,
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有 CL,BR,HVRT,HVRL等系列,还有高电流和电压的高压硅堆,高频高压二极管