高压瓷介电容器分别为： 高压电容器(CC81)，超高压电容器(CT81)，
低压瓷介电容器分别为：半导体电容器（CS1),高介电常数瓷介电容器（CT1),高频瓷介电容器（CC1),
材质：CH,SL,Y5P,YL,BN,Y5V,Y5U,Z5U,
正负公差：±20% ±10%，±5%，
TDK高层点评MLCC未来发展动向
随著半导体集成技术的发展，IC的集成度越来越高，线路板表面上元器件的使用日趋减少。不过随著各种电子设备功能的增加、半导体器件的高速化低功耗(低电压驱动)趋势、电子模块的小型化及接口数增加，势必会引起电子回路的电磁干扰，为了使电子线路能正常稳定地工作，就需要增加外围元件来消除电磁噪声保证电路的正常工作，这对于被动元件的需求反而有所增加。
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